[发明专利]采用自组装材料的图形形成

摘要

在一个实施例中，包围大区域的六边形瓦片被分为三个群组，每个群组含有彼此分离的所有六边形瓦片的三分之一。在模板层(2OA，2OB，20C)中形成每个群组(01，02，03)中的六边形瓦片的开口，且在每个开口内施加并构图自组装嵌段共聚物的组。重复该过程三次以涵盖所有三个群组，产生遍布宽广区域的自对准图形。在另一实施例中，该大区域被分为两个不重迭且互补的群组的矩形瓦片。每个矩形区域的宽度小于自组装嵌段共聚物的有序范围。以顺序方式在每一群组中形成自组装自对准的线与间隔结构(4OA，5OA；4OB，5OB；4OC，50C)，从而线与间隔图形形成为遍及了延伸超出有序范围的大区域。

主权项

一种在衬底上形成纳米尺寸图形的方法，所述方法包括以下步骤：形成第一模板层(20A)，其包围衬底上的预定区域；在所述第一模板层(20A)中构图第一开口(O1)，每个第一开口(O1)具有正六边形的形状，其中所述第一开口(O1)被排列为第一六边形阵列；在所述第一开口(O1)中形成第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)；在所述第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A)上形成包围所述区域的第二模板层(20B)；在所述第二模板层(20B)中构图第二开口(O2)，每个第二开口(O2)具有所述正六边形的形状，其中所述第二开口(O2)被排列为第二六边形阵列；在所述第二开口(O2)中形成第二纳米尺寸自组装自对准结构(40B)；在所述第一和第二纳米尺寸自组装自对准结构(40A，50A，40B)上形成包围所述区域的第三模板层(30C)；在所述第三模板层(30C)中构图第三开口(O3)，每个第三开口(O3)具有所述正六边形的形状，其中所述第三开口(O3)被排列为第三六边形阵列；以及在所述第三开口(O3)中形成第三纳米尺寸自组装自对准结构(40C，50C)。