[发明专利]半导体激光器装置无效
| 申请号： | 200980104197.0 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101939883A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 川口真生 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光器装置，该半导体激光器装置具有在基板(11)上所形成的且包含活性层(26)的半导体层层叠体(20)。半导体层层叠体(20)具有：将光射出的前端面；在与前端面交叉的方向上所形成的条状的波导部；在与前端面交叉的方向上延伸的第一区域(20A)；与第一区域(20A)上表面的高度不同的第二区域(20B)；在第一区域(20A)和第二区域(20B)之间所形成的、且与第二区域(20B)相比表面中的周期性的凹凸的变化小的平坦区域(20C)。并且，光波导路在平坦区域(20C)形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器装置，具有在基板上所形成的且包含活性层的半导体层层叠体，其中，所述半导体层层叠体具备：将光射出的前端面；在与所述前端面交叉的方向上所形成的条状的光波导路；在与所述前端面交叉的方向上延伸的第一区域；与所述第一区域上表面的高度不同的第二区域；在所述第一区域和所述第二区域之间所形成的、且与所述第二区域相比表面中的周期性的凹凸的变化小的平坦区域，将所述光波导路在所述平坦区域形成。
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