[发明专利]在绝缘基底上沉积薄膜来制造加热元件的方法以及由此获得的元件有效
| 申请号： | 200980104511.5 | 申请日： | 2009-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101939164A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 菲利普·毛林-佩里耶;克里斯托弗·埃奥;伯努瓦·泰尔姆 | 申请（专利权）人： | H.E.F.公司 |
| 主分类号： | B32B17/10 | 分类号： | B32B17/10;H01C7/00;H01C17/065;H05B3/84;H05K1/16;H05K3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李春晖;李德山 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 根据本方法：改变基底(1)的表面状态，以获得至少一个具有最低限度的粗糙度Ra的平滑区域(1a)-(1b)以及至少一个具有更高粗糙度Rax的区域(1c)；在上述各个区域(1a)、(1b)、(1c)上施加高导电材料(2)；将材料(2)的平滑区域(2a)和(2b)与电源(3)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 基底 沉积 薄膜 制造 加热 元件 方法 以及 由此 获得 | ||
【主权项】：
一种通过在绝缘基底(1)上沉积薄膜来制造加热元件的方法，其中：‑改变基底(1)的表面状态，以获得至少一个具有低粗糙度Ra的平滑区域(1a)‑(1b)以及至少一个具有更高粗糙度Rax的区域(1c)；‑在所述各个区域(1a)、(1b)、(1c)上施加高导电材料(2)；‑将所述材料(2)的平滑区域(2a)和(2b)与电源(3)连接。
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