[发明专利]以干微影或浸润式微影工艺来防止45-纳米特征结构尺寸中光阻材料的崩塌和毒化无效
| 申请号： | 200980104622.6 | 申请日： | 2009-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101939818A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | S·拉斯;E·K·金;B·H·金;M·J·希蒙斯;F·C·斯米特 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在此揭示用来制造具有范围在90纳米以下的特征结构尺寸的半导体组件的方法及结构。在本发明的一实施方式中，揭示一种用来处理基板的方法，包括沉积一抗反射涂层到一基板的一表面上，沉积一促黏层到该抗反射涂层上；及沉积一光阻材料到该促黏层上。在本发明的另一实施方式中，揭示一种半导体基板结构，包括一介电性基板；一非晶型碳层，其沉积在该介电层上；一抗反射涂层，其沉积在该非晶型碳层上；一促黏层，其沉积在该抗反射涂层上；及一光阻材料，其沉积在该促黏层上。 | ||
| 搜索关键词： | 干微影 浸润 式微 工艺 防止 45 纳米 特征 结构 尺寸 中光阻 材料 崩塌 毒化 | ||
【主权项】：
一种处理一基板的方法，包含：沉积一抗反射涂层到该基板的一表面上；沉积一有机促黏层到该抗反射涂层上；及沉积一光阻材料到该有机促黏层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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