[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法无效
申请号: | 200980104768.0 | 申请日: | 2009-02-12 |
公开(公告)号: | CN101952941A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 禹相浩;梁日光 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;王伶 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种等离子体处理装置包括提供内部空间的腔室,在该内部空间中在对象上执行处理;以及等离子体生成单元,其在所述内部空间中产生电场,以由提供给内部空间的源气体生成等离子体。所述等离子体生成单元包括与所述腔室的上表面大致平行地设置的上部源、连接到所述上部源以向所述上部源提供第一电流的上发生器、围绕所述腔室的侧面的侧源、以及连接到所述侧源以向所述侧源提供第二电流的侧发生器。所述等离子体生成单元还包括设置在所述上发生器和所述上部源之间的上匹配器、以及设置在所述侧发生器和所述侧源之间的下匹配器。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理装置,该等离子体处理装置包括:腔室,其提供内部空间,在该内部空间处在对象上执行处理;以及等离子体生成单元,其在所述内部空间中产生电场,以由提供到所述内部空间的源气体生成等离子体,所述等离子体生成单元包括:上部源,其与所述腔室的上表面大致平行地设置;上发生器,其连接到所述上部源,以向所述上部源提供第一电流;侧源,其围绕所述腔室的侧面;以及侧发生器,其连接到所述侧源,以向所述侧源提供第二电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造