[发明专利]半导体基板表面制备方法无效
| 申请号： | 200980105054.1 | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101952934A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 拉德万·哈里德 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;吕俊刚 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制备半导体基板的表面的方法，该方法包括以下步骤：使半导体基板的表面氧化，由此将自然氧化物转变为人工氧化物；并且去除人工氧化物，特别地为获得无氧化物基板表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制备半导体基板的表面的方法，该方法包括以下步骤：a)对所述半导体基板(1)的所述表面进行氧化，由此将自然氧化物(5)转变为人工氧化物(7)，b)去除所述人工氧化物(7)，特别是利用包括还原气体等离子体和惰性气体等离子体的还原性等离子体，来获得无氧化物基板表面(11)，以及c)将所述半导体基板(21)以其无氧化物基板表面(25)侧附接到第二半导体基板(23)上，特别是通过键合来进行附接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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