[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200980105301.8 | 申请日： | 2009-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101946330A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 舛冈富士雄;工藤智彦;新井绅太郎;中村广记 | 申请（专利权）人： | 日本优尼山帝斯电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的为提供一种环绕栅极晶体管的制造方法，具有用以使源极、漏极、栅极低电阻化的构造，且可得到所期望的栅极长度、源极、漏极形状与柱状半导体的直径。该制造方法包含有：形成柱状第1导电型半导体层的步骤；于柱状第1导电型半导体层的下部形成第2导电型半导体层的步骤；于柱状第1导电型半导体层的周围形成假性栅极绝缘膜及假性栅极电极的步骤；于栅极的上部和柱状第1导电型半导体层的上部侧壁隔着栅极绝缘膜而形成第1绝缘膜的步骤；于栅极的侧壁形成第1绝缘膜的步骤；于柱状第1导电型半导体层的上部形成第2导电型半导体层的步骤；在柱状第1导电型半导体层的上部和下部所形成的第2导电型半导体层和在栅极形成金属与半导体的化合物的步骤；及去除假性栅极绝缘膜及假性栅极电极而形成栅极绝缘膜及金属栅极电极的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包含有：在形成于衬底上的氧化膜上，形成有平面状半导体层，且于平面状半导体层上形成柱状第1导电型半导体层的步骤；于柱状第1导电型半导体层下部的平面状半导体层形成第2导电型半导体层的步骤；于柱状第1导电型半导体层的周围形成假性栅极绝缘膜及假性栅极电极的步骤；于柱状第1导电型半导体层的上部形成第2导电型半导体层的步骤；于形成在柱状第1导电型半导体层下部的平面状半导体层的第2导电型半导体层形成金属与半导体的化合物的步骤；于形成在柱状第1导电型半导体层上部的第2导电型半导体层形成金属与半导体的化合物的步骤；去除假性栅极绝缘膜及假性栅极电极的步骤；于柱状第1导电型半导体层的周围形成栅极绝缘膜及金属栅极电极的步骤；于形成在柱状第1导电型半导体层下部的平面状半导体层的第2导电型半导体层上形成接触部的步骤；于形成在柱状第1导电型半导体层上部的第2导电型半导体层上形成接触部的步骤；及在金属栅极电极上形成接触部的步骤。
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