[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200980105303.7 | 申请日： | 2009-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101946332A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 舛冈富士雄;新井绅太郎;中村广记;工藤智彦 | 申请（专利权）人： | 日本优尼山帝斯电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种环绕栅极晶体管的制造方法，用以获得源极、漏极、栅极的低电阻化的构造、及所希望的栅极长度、源极、漏极形状与柱状半导体的直径。该半导体器件的制造方法，包含：形成柱状第1导电型半导体层的步骤；在柱状第1导电型半导体层的下部形成第2导电型半导体层的步骤；在柱状第1导电型半导体层的周围形成栅极绝缘膜与栅极电极的步骤；在栅极上部且在柱状第1导电型半导体层的上部的侧壁形成绝缘膜的步骤；在栅极侧壁形成绝缘膜的步骤；在柱状第1导电型半导体层的上部形成第2导电型半导体层的步骤；及在形成于柱状第1导电型半导体层的上部与下部的第2导电型半导体层与栅极，形成金属与半导体的化合物的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：在形成于衬底上的氧化膜上，形成平面状半导体层，并在平面状半导体层上形成柱状第1导电型半导体层的步骤；在柱状第1导电型半导体层下部的平面状半导体层，形成第2导电型半导体层的步骤；在柱状第1导电型半导体层周围形成栅极绝缘膜及栅极电极的步骤；在栅极的上部且在柱状第1导电型半导体层的上部的侧壁，将绝缘膜形成为侧壁状的步骤；在栅极侧壁将绝缘膜形成为侧壁状的步骤；在柱状第1导电型半导体层上部形成第2导电型半导体层的步骤；在形成于柱状第1导电型半导体层下部的平面状半导体层的第2导电型半导体层，形成金属与半导体的化合物的步骤；在形成于柱状第1导电型半导体层上部的第2导电型半导体层，形成金属与半导体的化合物的步骤；在栅极形成金属与半导体的化合物的步骤；在形成于柱状第1导电型半导体层下部的平面状半导体层的第2导电型半导体层上形成接触部的步骤；及在形成于柱状第1导电型半导体层上部的第2导电型半导体层上形成接触部的步骤。
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