[发明专利]铁电存储器装置有效
| 申请号： | 200980106654.X | 申请日： | 2009-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101960531A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 木村启明;渊上贵昭;藤森敬和 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种铁电存储器装置。通过按DRAM模式和FRAM模式分别设定BL上的电容，使DRAM模式下的BL电容减小化导致的高速化，和在FRAM模式下的BL电容确保兼顾并存。铁电存储器装置包括：在列方向配置的多个位线BL；在行方向配置的多个字线WL；多个极板线PL和位线电容控制线BLC；配置于多个位线BL与多个字线WL以及多个极板线PL的交叉部、且由铁电电容器CF和存储器单元晶体管QM构成的铁电存储器单元(32)；配置于多个位线BL和位线电容控制线BLC的交叉部、且由负载电容CL和负载电容调节晶体管QL构成的负载电容调节单元(34)。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种铁电存储器装置，其特征在于，具备：多个位线，其在列方向配置；多个字线，其与所述位线正交，在行方向配置；多个极板线，其与所述位线正交，在行方向配置；位线控制线，其与所述位线正交，在行方向配置；铁电存储器单元，其由铁电电容器和存储器单元晶体管构成，其中，该铁电电容器配置于所述多个位线与所述多个字线及所述极板线的交叉部、一个电极与所述极板线连接，该存储器单元晶体管源极与所述铁电电容器的另一电极连接、漏极与所述位线连接、栅极与所述字线连接；和负载电容调节单元，其由负载电容和负载电容调节晶体管构成，其中，该负载电容配置于所述多个位线与所述位线控制线的交叉部、一个电极与接地电位连接，该负载电容调节晶体管源极与所述负载电容的另一电极连接、漏极与所述位线连接、栅极与所述位线控制线连接。
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