[发明专利]具有高纵横比纳米结构的光伏装置有效
申请号: | 200980106758.0 | 申请日: | 2009-02-11 |
公开(公告)号: | CN101960611A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | S·古哈;O·古纳万 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/052;H01L31/072;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 于静;杨晓光 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了光伏装置以及增强其效率的技术。在一个方面,提供一种光伏装置。所述光伏装置包括:光电池,具有第一光活性层和邻近所述第一光活性层的第二光活性层以在所述第一光活性层与所述第二光活性层之间形成异质结;以及多个高纵横比纳米结构,在所述第二光活性层的一个或多个表面上。所述多个高纵横比纳米结构被配置为用作入射光的散射介质。所述多个高纵横比纳米结构还可以被配置为在入射光中产生光学共振效应。 | ||
搜索关键词: | 具有 纵横 纳米 结构 装置 | ||
【主权项】:
一种光伏装置,包括:光电池,具有第一层(102)和邻近所述第一层的光活性层(104)以在所述第一层与所述光活性层之间形成异质结;以及多个高纵横比纳米结构(108),在所述光活性层的一个或多个表面上,被配置为用作入射光的散射介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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