[发明专利]用于制备掺杂的有机半导体层的方法有效
| 申请号： | 200980106931.7 | 申请日： | 2009-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101965653B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | B·格茨;T·多伯廷;K·迪克曼;A·卡尼茨;G·施米德;A·孔策 | 申请（专利权）人： | 欧司朗OLED股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 石克虎,李连涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种用于制备经掺杂的有机半导体层的方法，包括以下方法步骤A)准备基体材料；B)准备掺杂剂配合物；和C)将基体材料与掺杂剂配合物同时蒸镀到衬底上，在方法步骤C)中使掺杂剂配合物分解，并使纯掺杂剂嵌入到基体材料之中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 掺杂 有机半导体 方法 | ||
【主权项】：
用于制备经掺杂的有机半导体层的方法，包括以下方法步骤：A)准备基体材料，B)准备掺杂剂配合物，和C)将基体材料和掺杂剂配合物同时蒸镀到衬底上，其中在方法步骤C)中使掺杂剂配合物在施加压力＜10‑4mbar的真空下在气相中蒸发后使用选自加热、电磁辐射、利用射频的辐射以及微波辐射的方法分解成掺杂剂和至少一种配体，并使掺杂剂嵌入到基体材料之中，其中所述掺杂剂是金属原子簇。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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