[发明专利]包含多个磁畴的磁性隧道结单元有效
| 申请号： | 200980107087.X | 申请日： | 2009-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101965615A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 李霞 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/56;H01L27/22;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在特定实施例中，揭示一种磁性隧道结(MTJ)结构(100)，其包含MTJ单元，所述MTJ单元具有大体上垂直于衬底(490)的表面延伸的多个侧壁(110、112、114)。所述多个侧壁中的每一者包含用以携载唯一磁畴的自由层(106)。所述唯一磁畴中的每一者适于存储数字值。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 多个磁畴 磁性 隧道 单元 | ||
【主权项】：
一种磁性隧道结(MTJ)结构，其包括：MTJ单元，其包括大体上垂直于衬底的表面延伸的多个侧壁，所述多个侧壁中的每一者包含用以携载唯一磁畴的自由层，所述唯一磁畴中的每一者适于存储数字值。
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