[发明专利]光刻设备、等离子体源以及反射方法有效
| 申请号： | 200980107377.4 | 申请日： | 2009-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101971100A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | M·M·J·W·范赫彭;W·A·索尔 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H05G2/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种光刻设备，包括：等离子体源，其包括配置成包围等离子体形成位置(2)的容器(1)、配置成将光辐射(8)转移到或离开所述容器的光学装置(3)和反射器(6)，反射器(6)布置在所述光学装置和所述等离子体形成位置源之间的光学路径上。所述反射器配置成在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间反射所述光辐射。所述反射器在操作时形成为熔融金属反射镜。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 设备 等离子体 以及 反射 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻设备，包括：等离子体源，包括：容器，配置成包围等离子体形成位置；光学装置，配置成将光辐射转移到所述容器或使光辐射转移离开所述容器；和反射器，布置在所述光学装置和所述等离子体形成位置源之间的光学路径上，所述反射器配置成在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间反射所述光辐射，其中所述反射器在操作时形成为熔融金属反射镜。
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