[发明专利]AlxGa(1-x)As衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法无效

专利信息
申请号: 200980107544.5 申请日: 2009-05-27
公开(公告)号: CN101960056A 公开(公告)日: 2011-01-26
发明(设计)人: 田中聪;宫原贤一;北林弘之;片山浩二;森下知典;森分达也 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: C30B29/42 分类号: C30B29/42;C30B19/12;H01L21/205;H01L33/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 陈海涛;樊卫民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法。所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能,并能通过该衬底制造具有优异的光输出特性的半导体器件。具体地,本发明涉及具有AlxGa(1-x)As层(11)的AlxGa(1-x)As衬底(10a),所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面(11a)和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b),其中所述背面(11b)中Al的组成比(x)大于在所述主面(11a)中Al的组成比(x)。另外,所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还可包含GaAs衬底(13),并使其与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触。
搜索关键词: al sub ga as 衬底 红外 led 外延 晶片 制造 方法 以及
【主权项】:
一种具有AlxGa(1‑x)As层(0≤x≤1)的AlxGa(1‑x)As衬底,所述AlxGa(1‑x)As层具有主面和在所述主面相反侧的背面;所述AlxGa(1‑x)As衬底的特征在于,在所述AlxGa(1‑x)As层中,所述背面中Al的组成比x大于在所述主面中Al的组成比x。
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