[发明专利]半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法有效
| 申请号： | 200980108005.3 | 申请日： | 2009-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101960388A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 水田浩德;松田修 | 申请（专利权）人： | 和光纯药工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/027;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;张志楠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够在低温且短时间内容易地将半导体元件等的制造工艺中的防反射膜层剥离的半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法；还提供不仅能够剥离防反射膜层和抗蚀剂层这两层、还能将蚀刻工序中产生的抗蚀剂固化层剥离的半导体表面用处理剂组合物和使用该组合物的半导体表面的处理方法。本发明涉及半导体表面用处理剂组合物，其特征在于，该组合物含有在水中产生氟离子的化合物、碳自由基产生剂和水，根据需要还含有有机溶剂。本发明还涉及半导体表面的处理方法，其特征在于使用上述组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 用处 组合 使用 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体表面用处理剂组合物，其特征在于，该组合物含有在水中产生氟离子的化合物、碳自由基产生剂和水。
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