[发明专利]萘-酰亚胺半导体聚合物有效
| 申请号： | 200980108214.8 | 申请日： | 2009-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101965374A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | A·法切蒂;陈志华;颜河;郑焱;J·奎因;M·卡斯特勒;F·德兹;S·克勒 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司;破立纪元有限公司 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘金辉;林柏楠 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了新的由萘-酰亚胺共聚物制备的半导体材料。该聚合物具有所希望的电子性能并且可具有包括溶液加工性在内的良好加工优点和/或良好的在环境条件下的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 亚胺 半导体 聚合物 | ||
【主权项】：
1.一种下式的聚合物：![]()
其中M1为选自如下的任选取代的萘酰亚胺：![]()
其中R1在每次出现时独立地选自H、C1-40烷基、C2-40链烯基、C1-40卤代烷基和1-4个环状结构部分，其中：C1-40烷基、C2-40链烯基和C1-40卤代烷基中的每个可任选由1-10个独立地选自如下的取代基取代：卤素、-CN、NO2、OH、-NH2、-NH(C1-20烷基)、-N(C1-20烷基)2、-S(O)2OH、-CHO、-C(O)-C1-20烷基、-C(O)OH、-C(O)-OC1-20烷基、-C(O)NH2、-C(O)NH-C1-20烷基、-C(O)N(C1-20烷基)2、-OC1-20烷基、-SiH3、-SiH(C1-20烷基)2、-SiH2(C1-20烷基)和-Si(C1-20烷基)3；C1-40烷基、C2-40链烯基和C1-40卤代烷基中的每个可经由任选的连接结构与酰亚胺氮原子共价键接；和1-4个环状结构部分各自可相同或不同，可经由任选的连接结构相互键接或与酰亚胺氮共价键接，且可任选由1-5个独立选自如下的取代基取代：卤素、氧代、-CN、NO2、OH、＝C(CN)2、-NH2、-NH(C1-20烷基)、-N(C1-20烷基)2、-S(O)2OH、-CHO、-C(O)OH、-C(O)-C1-20烷基、-C(O)-OC1-20烷基、-C(O)NH2、-C(O)NH-C1-20烷基、-C(O)N(C1-20烷基)2、-SiH3、-SiH(C1-20基)2、-SiH2(C1-20烷基)、-Si(C1-20烷基)3、-O-C1-20烷基、-O-C1-20链烯基、-O-C1-20卤代烷基、C1-20烷基、C1-20链烯基和C1-20卤代烷基；R5如R1所定义；R6和R7独立地选自H，吸电子基团和任选由1-5个吸电子基团取代的C1-40烷基；M2为包含一种或多种单环结构部分的重复单元；和n为2-5000的整数。
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