[发明专利]使用具有垂直切换构造的电压可切换电介质材料嵌入层的衬底器件或封装无效
申请号: | 200980108307.0 | 申请日: | 2009-04-13 |
公开(公告)号: | CN101965758A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | L·科索斯基;R·弗莱明;B·格雷顿 | 申请(专利权)人: | 肖克科技有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 杨勇;郑建晖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种衬底器件,包括VSD材料嵌入层(230),其覆盖在提供地的导电元件或层(240)之上。电极(210)——其连接到待被保护的电路元件——延伸到该衬底的厚度中以与该VSD层接触。当该电路元件在正常电压下运行时,该VSD层是电介质,从而不连接到地。当该电路元件上发生瞬态电学事件时,该VSD层立即切换至导电状态,以使该第一电极连接到地。 | ||
搜索关键词: | 使用 具有 垂直 切换 构造 电压 电介质 材料 嵌入 衬底 器件 封装 | ||
【主权项】:
一种器件,包括:第一电极;第二电极,其与第一电极垂直地间隔开;电压可切换电介质(VSD)材料层,其被置于该第一电极和该第二电极之间,该VSD材料层与该第二电极接触;电隔离材料层,其被设在该VSD材料层和该第一电极之间;并且其中该第一电极垂直地延伸到该电隔离材料层中,以与该VSD材料层接触。
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