[发明专利]包括减反射涂层的透明基材无效
申请号: | 200980108473.0 | 申请日: | 2009-03-10 |
公开(公告)号: | CN102027599A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | S·罗什;E·马埃;L·拉布鲁斯 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;G02B1/11 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘维升;林森 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及透明基材(6),特别地玻璃基材,在它至少一个面上包含减反射涂层,其由具有交替高和低折射指数的电介质材料制成的薄层的叠层(A)制成,该叠层特征在于高指数的第一层(1)和/或高指数的第三层(3)基于锌锡混合氧化物,具有大于1的用原子百分数表示的锡与锌之间的比率。 | ||
搜索关键词: | 包括 反射 涂层 透明 基材 | ||
【主权项】:
透明基材(6),特别地玻璃基材,在它至少一个面上包含减反射涂层,特别地至少在可见光中和在近红外中的减反射涂层,其由具有交替高和低折射指数的电介质材料制成的薄层的叠层(A)制成,该叠层连续地包括:‑高指数的第一层(1),其在550nm的折射指数n1为1.8‑2.3和几何厚度e1为15‑35nm;‑低指数的第二层(2),其在550nm的折射指数n2为1.30‑1.70和几何厚度e2为15‑35nm;‑高指数的第三层(3),其在550nm的折射指数n3为具有1.8‑2.3和几何厚度e3为130‑160nm;‑低指数的第四层(4),其在550nm的折射指数n4为1.30‑1.70和几何厚度e4为80‑11O nm;‑低指数的第二层(2)和/或低指数的第四层(4)基于二氧化硅、氮氧化硅和/或碳氧化硅或者基于硅铝混合氧化物,特征在于:高指数的第一层(1)和/或高指数的第三层(3)基于锌锡混合氧化物,具有大于1的用原子百分数表示的锡与锌之间的比率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的