[发明专利]具有电阻性存取组件的非易失性存储器有效
| 申请号： | 200980108593.0 | 申请日： | 2009-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN101971264A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;迈克尔·P·瓦奥莱特 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一些实施例包括具有存储器元件及存取组件的设备及方法，所述存储器元件经配置以存储信息，且所述存取组件经配置以当在跨越所述存储器元件及所述存取组件的第一方向上的第一电压差超过第一电压值时允许电流传导通过所述存储器元件，且当在跨越所述存储器元件及所述存取组件的第二方向上的第二电压差超过第二电压值时阻止电流传导通过所述存储器元件，其中所述存取组件包括排除硅的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电阻 存取 组件 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
一种设备，其包含：存储器元件，其经配置以存储信息；以及存取组件，其经配置以当在跨越所述存储器元件及所述存取组件的第一方向上的第一电压差超过第一电压值时允许电流传导通过所述存储器元件，且当在跨越所述存储器元件及所述存取组件的第二方向上的第二电压差超过第二电压值时阻止电流传导通过所述存储器元件，其中所述存取组件包括排除硅的材料。
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