[发明专利]用于半导体晶片处理的光腔炉无效
| 申请号： | 200980108644.X | 申请日： | 2009-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102027581A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | B·L·索波里 | 申请（专利权）人： | 可持续能源联盟有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王永建 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光腔炉(10)，其具有与炉的光腔(18)相关联的多个光能量源(12)。所述多个光能量源(12)可以是灯或适用于产生适当级光能的其他装置。光腔炉(10)也可包括与光能量源(12)相关联的一个或多个反射器(14)和一个或多个壁(16)，以使得反射器(14)和壁(16)限定光腔(18)。壁(16)可具有任何期望构造或形状，以增强炉作为光腔(18)的操作。光能量源(12)可相对于限定光腔的反射器(14)和壁设置在任何位置。光腔炉(10)可进一步包括用于输送一个或多个半导体晶片(20)通过光腔的半导体晶片输送系统(22)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 晶片 处理 光腔炉 | ||
【主权项】：
一种光腔炉，其包括：多个光能量源；与所述光能量源相关联的一个或多个反射器；与所述光能量源相关联的一个或多个壁，其中所述壁和反射器限定光腔，且所述光能量源与所述光腔相关联；以及半导体晶片输送系统，其用于输送半导体晶片通过所述光腔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
