[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200980108716.0 | 申请日： | 2009-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101971307A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 佐泽洋幸;西川直宏;栗田靖之;秦雅彦 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体装置，是以常断路形式使GaN系场效晶体管动作，并且增加通道电流密度。提供一种半导体装置，其具有：含氮的3-5族化合物半导体的通道层、对所述通道层供给电子的电子供给层、形成在与所述电子供给层的所述通道层相对向的面的相反面的含有氮的3-5族化合物真性或n形的半导体层、以及与所述半导体层接触而形成的，或者在与所述半导体层之间隔着中间层而形成的控制电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有，3‑5族化合物的半导体层、3‑5族化合物半导体的通道层、设置在所述半导体层和所述通道层之间的、对所述通道层供给载流子的载流子供给层，以及，在所述半导体层上设置的控制电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
