[发明专利]在碳纳米管上沉积金属或准金属的方法和系统

摘要

本发明涉及用于在碳纳米管(CNT)上沉积金属或准金属的方法和系统。本发明的方法包括将CNT粉末在反应器中均化，并且由包含所述金属或准金属的烷基化物前体使用在所述反应器内实施的化学气相沉积技术在均化的CNT粉末上沉积所述金属或准金属。所述方法可用于通过在CNT上沉积Si而在所述CNT的表面制造纳米结构的SiC。

主权项

向碳纳米管(CNT)上沉积金属或准金属的方法，其特征在于其包括：‑将CNT粉末在反应器中均化，‑以由选自锡、铝或铜的所述金属或者选自硅、硼或锗的所述准金属的烷基化物形成的前体为原料，通过在所述反应器内进行的气相沉积技术，在该均匀的CNT粉末上沉积该金属或准金属；所述气相沉积在反应器中在大气压和低于1000℃的温度下进行，所述前体以气体形式注入到所述反应器中。