[发明专利]太阳能电池的制造方法、太阳能电池的制造装置以及太阳能电池无效

专利信息
申请号: 200980109023.3 申请日: 2009-04-21
公开(公告)号: CN101971358A 公开(公告)日: 2011-02-09
发明(设计)人: 渡井美和;齐藤一也;小松孝;太田淳;黑岩俊二;清水美穗 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 杨晶;王琦
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 该太阳能电池的制造方法是在导电型为p型或n型的硅基板(1、21)上形成硅层(22、31),所述硅层(22、31)包含与所述硅基板(1、21)不同导电型的掺杂物,对所述硅层(22、31)进行热处理,以使包含在所述硅层(22、31)中的掺杂物向所述硅基板(1、21)内扩散。
搜索关键词: 太阳能电池 制造 方法 装置 以及
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,在导电型为p型或n型的硅基板上形成硅层,所述硅层包含与所述硅基板不同导电型的掺杂物,对所述硅层进行热处理以使包含在所述硅层中的掺杂物向所述硅基板内扩散。
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