[发明专利]半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体装置有效
| 申请号： | 200980109236.6 | 申请日： | 2009-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101978503A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 杉山正和;霜垣幸浩;秦雅彦;市川磨 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东京大学;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体-绝缘体界面的界面能级降低后的半导体基板及其制造方法以及半导体装置。提供的半导体基板具有：含砷的3至5族化合物的半导体层以及氧化物、氮化物或氮氧化物的绝缘层。其是在所述半导体层与所述绝缘层之间检测不出砷的氧化物的半导体基板。在该第一方案中，半导体基板可以是在以存在于所述半导体层与所述绝缘层之间的元素为对象的X射线光电子分光法的光电子强度分光观察中，在起因于砷的元素峰值的高结合能量侧检测不出起因于氧化的砷的氧化物峰值的半导体基板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体基板，具有：含砷的3至5族化合物的半导体层；以及氧化物、氮化物或氮氧化物的绝缘层，在所述半导体层与所述绝缘层之间检测不出砷的氧化物。
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