[发明专利]磁控溅射装置和磁控溅射方法有效
| 申请号： | 200980109274.1 | 申请日： | 2009-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101978094A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 赤松泰彦;中村久三;小林大士;清田淳也;汤川富之;武井应树;大石祐一;新井真;石桥晓 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李浩;王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种可以在长时间内生长具有均匀的膜厚分布的薄膜的磁控溅射技术。本发明的磁控溅射装置(1)具有：真空槽(2)；阴极部(6)，设置在真空槽2内，并且具有其正面侧支承标靶(7)、其背面侧支承多个磁体(12)的垫板(8)；和直流电源(30)，向阴极部(6)供给直流电。相对于垫板(8)，在标靶(7)侧的放电空间内设置有多个可以独立地进行电位控制的控制电极(21、22)。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射装置，具有：真空槽；阴极部，设置在所述真空槽内，并具有其正面侧支承标靶、其背面侧支承多个磁体的支承机构；和电源，向所述阴极部供电，相对于所述支承机构，在所述标靶侧的放电空间内设置有多个可以独立地进行电位控制的控制电极。
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