[发明专利]磁记录介质的制造方法、磁记录介质和磁记录再生装置有效
| 申请号： | 200980109283.0 | 申请日： | 2009-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101978420A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 新井良和;内田博;今井直行;福岛正人 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;C09D183/04;G11B5/65 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁记录介质的制造方法，是在非磁性基板上至少具有记录层和保护膜的磁记录介质的制造方法，其特征在于，依次具有以下工序：在基板上形成连续的记录层的工序，形成图案化的抗蚀剂层的工序，依照该抗蚀剂图案部分性地除去上述记录层的工序，在上述记录层和已除去记录层的部位上涂布具有活性能量线固化性官能团的有机硅化合物的工序，通过活性能量线使上述有机硅化合物固化的工序，对上述有机硅化合物进行蚀刻，使磁性层在表面露出的工序，以及形成保护膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 方法 再生 装置 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质的制造方法，是在非磁性基板上至少具有记录层和保护膜的磁记录介质的制造方法，其特征在于，依次具有以下工序：在基板上形成连续的记录层的工序，形成图案化的抗蚀剂层的工序，依照该抗蚀剂图案部分性地除去上述记录层的工序，在上述记录层和已除去记录层的部位上涂布具有活性能量线固化性官能团的有机硅化合物的工序，通过活性能量线使上述有机硅化合物固化的工序，对上述有机硅化合物进行蚀刻，使磁性层在表面露出的工序，以及形成保护膜的工序。
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