[发明专利]具有窄的表面声波属性分布的铌酸锂晶片无效
| 申请号： | 200980109606.6 | 申请日： | 2009-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101978317A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 戴尔特·汉斯·容特;玛丽亚·克劳迪娅·库斯托迪奥·卡伊亚马;约翰·托马斯·卡雷拉 | 申请（专利权）人： | 晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/355 | 分类号： | G02F1/355;G02F1/35 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;宋志强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种由挥发可忽略的同成分熔融的化合物生长晶体的方法。对一个或多个晶体的组分进行测量。对晶体组分从同成分的偏离进行确定。对初始熔体组分和与所述偏离相应的源材料组分修正进行确定。利用所述组分修正生长晶体以生产用于表面声波衬底制造的可再现材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 表面 声波 属性 分布 铌酸锂 晶片 | ||
【主权项】：
一种由挥发可忽略的同成分熔融的化合物生长晶体的方法，包括：测量一个或多个晶体样本的组分，并确定晶体组分从同成分的偏离；确定初始熔体组分以及与所述偏离相应的源材料组分修正；以及利用所述组分修正生长晶体，以生产用于表面声波衬底制造的可再现材料。
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