[发明专利]磁记录介质基板用玻璃、磁记录介质基板、磁记录介质和它们的制造方法有效
| 申请号： | 200980109840.9 | 申请日： | 2009-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101977860A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 蜂谷洋一;越阪部基延 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | C03C3/083 | 分类号： | C03C3/083;C03C3/085;C03C3/087;C03C3/093;C03C3/095;C03C3/097;G11B5/73;G11B5/84 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够实现化学耐久性优异、具有极平滑表面的磁记录介质基板的磁记录介质基板用玻璃、由上述玻璃构成的磁记录介质基板、具备上述基板的磁记录介质和它们的制造方法。磁记录介质基板用玻璃为如下玻璃I、玻璃II以及玻璃III。所述玻璃I以质量％表示，含有Si 20～40％、Al 0.1～10％、Li 0.1～5％、Na 0.1～10％、K 0～5％(其中，Li、Na和K的总含量为15％以下)、Sn 0.005～0.6％、Ce 0～1.2％，且Sb含量为0～0.1％、不含有As和F；所述玻璃II以氧化物为基准进行换算，以摩尔％表示，含有SiO2 60～75％、Al2O3 1～15％、Li2O 0.1～20％、Na2O 0.1～15％、K2O 0～5％(其中，Li2O、Na2O和K2O的总含量为25％以下)，基于玻璃成分总量，进一步添加有0.01～0.7质量％的Sn氧化物、0～1.4质量％的Ce氧化物，并且Sb氧化物的含量为0～0.1质量％，且不含有As和F；所述玻璃III以氧化物为基准进行换算，以摩尔％表示，含有SiO2 60～75％、Al2O3 1～15％、Li2O 0.1～20％、Na2O 0.1～15％、K2O 0～5％(其中，Li2O、Na2O和K2O的总含量为25％以下)，所述玻璃III还含有Sn氧化物和Ce氧化物，基于玻璃成分总量，Sn氧化物和Ce氧化物的总含量为0.1～3.5质量％，Sn氧化物的含量相对于Sn氧化物和Ce氧化物的总含量之比(Sn氧化物的含量/(Sn氧化物的含量+Ce氧化物的含量))为0.01～0.99，Sb氧化物的含量为0～0.1％，并且不含有As和F。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 基板用 玻璃 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质基板用玻璃，其为由氧化物玻璃形成的磁记录介质基板用玻璃，其特征在于，以质量％表示，该玻璃含有Si 20％～40％、Al 0.1％～10％、Li 0.1％～5％、Na 0.1％～10％、K 0～5％、Sn 0.005％～0.6％、Ce 0～1.2％，其中，Li、Na和K的总含量为15％以下，在该玻璃中，Sb含量为0～0.1％，不含有As和F。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HOYA株式会社，未经HOYA株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980109840.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
