[发明专利]使用低侧桥式FET的RDSON的波形电流监测器无效
| 申请号： | 200980109859.3 | 申请日： | 2009-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101971038A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | R·R·加西亚 | 申请（专利权）人： | 英特赛尔美国股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/22 | 分类号： | G01R19/22;H02P27/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于监测包括至少高侧和低侧开关晶体管的电机驱动电路的电流的装置包括用于驱动低侧开关晶体管的栅极的驱动电路。第一电路系统测量该低侧开关晶体管两端的漏源电压，并响应于该测量产生电压输出。第二电路具有第一工作状态和第二工作状态，第一工作状态在低侧开关晶体管导通时对第一电路系统的电压输出取样，第二工作状态在低侧开关晶体管截止时对第一电路系统的电压输出取样。第二电路系统响应于所取样的电压输出进一步产生监测输出电流。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 低侧桥式 fet rdson 波形 电流 监测器 | ||
【主权项】：
一种用于监测包括至少高侧和低侧开关晶体管的电机驱动电路的电流的装置，包括：驱动电路，所述驱动电路用于驱动低侧开关晶体管的栅极；第一电路系统，所述第一电路系统用于测量所述低侧开关晶体管两端的漏源电压，并产生电压输出；第二电路系统，所述第二电路系统具有第一工作状态和第二工作状态，所述第一工作状态用于在所述低侧开关晶体管导通时对所述第一电路系统的电压输出取样，所述第二工作状态用于在所述低侧开关晶体管截止时对所述第一电路系统的电压输出取样，其中所述第二电路系统响应于所取样的电压输出进一步产生监测输出电流。
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