[发明专利]用于在激光致等离子体EUV光源中输送靶材料的系统和方法有效
| 申请号： | 200980109891.1 | 申请日： | 2009-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101978792A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | G·O·瓦斯恩寇;A·N·贝卡诺弗;N·R·鲍尔林;D·C·勃兰特;A·I·叶尔绍夫;R·D·西蒙斯;O·V·霍迪金;I·V·福缅科夫 | 申请（专利权）人： | 西默股份有限公司 |
| 主分类号： | H05G2/00 | 分类号： | H05G2/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了多个设备，这些设备可包括EUV反射光学装置，该光学装置具有限定旋转轴和圆形外围的旋转表面。该光学装置可被定位成使其轴相对于水平面以非零角度倾斜，并在水平面中建立该外围的垂直投影，且该外围投影在水平面中约束一区域。该设备可进一步包括输送靶材料的系统，该系统具有位于水平面中且在由该外围投影所约束的区域之外的靶材料释放点，以及产生激光束以辐照该靶材料以产生EUV发射的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 激光 等离子体 euv 光源 输送 材料 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种设备，包括：EUV反射光学装置，所述EUV反射光学装置具有用于限定旋转轴和圆形外围的旋转表面，所述光学装置被定位成使所述轴相对于水平面以非零角度倾斜且在所述水平面中建立所述外围的垂直投影，所述外围投影在所述水平面中约束一区域；输送靶材料的系统，所述系统具有靶材料释放点，所述释放点位于所述水平面中且在所述外围投影所约束的所述区域之外；以及产生激光束的系统，用于辐照所述靶材料以产生EUV发射。
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