[发明专利]真空处理装置有效

专利信息
申请号: 200980110152.4 申请日: 2009-03-20
公开(公告)号: CN102017095A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 曹生贤;池东俊 申请(专利权)人: IPS株式会社
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 谢顺星
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及真空处理装置,具体涉及对用于LCD控制板的玻璃等基板进行所相关的蚀刻、蒸发等真空处理的真空处理装置。本发明所提供的真空处理装置包括:在真空腔体的内表面中至少一部分上可拆卸地紧密连接的、表面上形成有包括W、Ni、W-N、Cr及Mo中任一的涂层的遮盖部件,和/或为了屏蔽所述基板支持台的侧面以及所述真空腔体的内表面之间的空间、可拆卸地设置的、表面上形成有包括W、Ni、W-N、Cr及Mo中任一的涂层的屏蔽部件。
搜索关键词: 真空 处理 装置
【主权项】:
一种真空处理装置,其特征在于,所述真空处理装置包括:形成等离子体的、形成了用于对矩形基板进行真空处理的处理空间的、形成了对基板进行支持的基板支持台的真空腔体;设置于所述真空腔体的上侧的用于对所述处理空间进行气体供给的气体供给部;用于与对所述处理空间进行压力调整及排气的排气系统相连接而设置于所述真空腔体上的排气口;为通过所述气体供给部供给的气体形成等离子体而在所述真空腔体上设置的用于输入电源的电源输入部;所述真空腔体至少一部分内表面上可拆卸地紧密连接有至少一部分表面上形成有包括W、Ni、W‑N、Cr及Mo中任一的涂层的遮盖部件。
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