[发明专利]单能中性束激活的化学处理系统及其使用方法

摘要

本发明描述了化学处理系统和使用化学处理系统用单能空间电荷中性化的中性束激活的化学处理处理衬底的方法。化学处理系统包括第一等离子体室，其用于在第一等离子体电位下形成第一等离子体；和第二等离子体室，其用于在高于第一等离子体电位的第二等离子体电位下形成第二等离子体，其中使用来自第一等离子体的电子通量来形成第二等离子体。此外，化学处理系统包括衬底支架，其配置为将衬底定位在第二等离子体室中。

主权项

一种化学处理系统，其配置为处理衬底，所述化学处理系统包括：等离子体产生室，其包括第一等离子体区，所述第一等离子体区配置为在第一压力下接收第一处理气体；处理室，其包括第二等离子体区，所述第二等离子体区设置在所述第一等离子体区的下游，并且被配置为在第二压力下从所述第一等离子体区接收所述第一处理气体；第一气体喷射系统，其耦合到所述等离子体产生室，并配置为将所述第一处理气体引入所述第一等离子体区；等离子体产生系统，其耦合到所述等离子体产生室，并配置为从所述第一处理气体在所述第一等离子体区中在第一等离子体电位下产生第一等离子体；分隔部件，其设置在所述第一等离子体区和所述第二等离子体区之间，其中所述分隔部件包括一个或多个开口，所述开口配置为允许电子通量从所述第一等离子体区到所述第二等离子体区，以在第二等离子体电位下形成第二等离子体；偏压电极系统，其耦合到所述处理室，并配置为将所述第二等离子体电位升高到高于所述第一等离子体电位，以控制所述电子通量；衬底支架，其耦合到所述处理室，并配置为支撑邻近所述第二等离子体区的所述衬底；和真空泵系统，其耦合到所述处理室，并配置为将抽吸所述处理室中的所述第二等离子体区。