[发明专利]屏蔽性盖加热器组件有效
| 申请号： | 200980110363.8 | 申请日： | 2009-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101978475A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·D·威尔沃斯;大卫·帕拉加斯维勒;瓦伦顿·N·图杜罗;斯蒂芬·源 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷;南霆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种适于与等离子体处理室一同使用的屏蔽性盖加热器、具有屏蔽性盖加热器的等离子体处理室以及等离子体处理的方法。本发明的方法及设备增强了等离子体处理室中的等离子体位置的位置控制，且可用于蚀刻、沉积、注入及热处理系统，以及其它期望控制等离子体位置的应用。在一个实施例中，提供了一种屏蔽性盖加热器，其包含将加热器元件夹置于其间的铝底座及RF屏蔽件。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 加热器 组件 | ||
【主权项】：
一种屏蔽性盖加热器，包含：热传导底座；加热器元件，其设置于所述热传导底座上；以及RF屏蔽件，其将所述加热器元件夹置在所述RF屏蔽件与所述热传导底座之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980110363.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
