[发明专利]半导体发光装置及半导体发光装置制造方法无效
| 申请号： | 200980110486.1 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101981710A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 柜田幸央;大桥达男 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括在该半导体发光装置的制造过程中或在该半导体发光装置的工作期间表现出稳定行为的第二电极。本发明的半导体发光装置包括：第一化合物半导体层(11)，它是n型导电型；活性层(12)，它形成于第一化合物半导体层(11)上并由化合物半导体构成；第二化合物半导体层(13)，它形成于活性层(12)上且是p型导电型；第一电极(15)，它与第一化合物半导体层(11)电连接；以及第二电极(14)，它形成于第二化合物半导体层(13)上。其中，第二电极(14)由氧化钛构成、具有4×1021/cm3以上的电子浓度并反射从活性层发射的光。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，其包括：A)第一化合物半导体层，它是n型导电型；B)活性层，它形成于所述第一化合物半导体层上并由化合物半导体构成；C)第二化合物半导体层，它形成于所述活性层上且是p型导电型；D)第一电极，它与所述第一化合物半导体层电连接；以及E)第二电极，它形成于所述第二化合物半导体层上，其中所述第二电极由氧化钛构成，具有4×1021/cm3以上的电子浓度，并反射从所述活性层发射的光。
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