[发明专利]金属栅结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200980110701.8 | 申请日： | 2009-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101981673A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | W·拉赫马迪;S·奥泽尔;J·克劳斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;王洪斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造金属栅结构的方法，包括提供衬底(110)，其上形成有栅极电介质(120)，邻近该栅极电介质的功函数金属(130)，以及邻近该功函数金属的栅极金属(140)；选择性地在栅极金属上居中地形成牺牲盖层(310)；在该牺牲盖层上形成电绝缘层(161)以使该电绝缘层至少部分地包围该牺牲盖层；选择性地去除该牺牲盖层以在该电绝缘层中形成对准该栅极金属的沟槽(410)；以及用电绝缘材料填充该沟槽以在该栅极金属上居中形成电绝缘盖(150)。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅结构，包括：衬底；在衬底上的栅极电介质；邻近该栅极电介质的功函数金属；邻近该功函数金属的栅极金属；在该栅极金属上居中的电绝缘盖；在该电绝缘盖上且至少部分地包围该电绝缘盖的电绝缘层；邻近该栅极电介质的间隔件；以及至少部分地包围该间隔件的介电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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