[发明专利]介电蚀刻停止层的选择性形成有效
| 申请号： | 200980110703.7 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101981670A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | S·金;J·克劳斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/027;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;王洪斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在图案化的金属特征之上选择性地形成介电蚀刻停止层的方法。实施例包括在栅电极之上包含这种蚀刻停止层的晶体管。根据本发明的某些实施例，金属选择性地形成在栅电极的表面上，随后其被转化为硅化物或锗化物。在其他实施例中，金属选择性地形成在栅电极的表面上，从而能够在栅电极之上催化生长硅或锗的台面结构。硅化物、锗化物、硅的台面结构或锗的台面结构的至少一部分随后被氧化、氮化或碳化，从而仅在栅电极之上形成介电蚀刻停止层。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 停止 选择性 形成 | ||
【主权项】：
一种在图案化的金属特征之上选择性地形成介电蚀刻停止层的方法，包括：暴露金属特征的表面；在金属特征的暴露表面之上选择性地形成包括硅或锗的台面结构；以及将台面结构的至少一部分转化为电介质，以形成蚀刻停止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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