[发明专利]用于在C4焊盘之间制造线/间隔布线的方法有效
申请号: | 200980110819.0 | 申请日: | 2009-06-26 |
公开(公告)号: | CN101981655A | 公开(公告)日: | 2011-02-23 |
发明(设计)人: | M·S·赫拉德;S·李 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述了一种用于制造精细的线和间隔布线的方法。所述方法包括提供具有设置于其上的电介质层和晶种层的衬底。之后在所述晶种层之上形成抗反射涂覆层和光致抗蚀剂层。使所述光致抗蚀剂层和抗反射涂覆层图案化,以形成图案化光致抗蚀剂层和图案化抗反射涂覆层,从而露出晶种层的第一部分,并使晶种层的第二部分仍然受到覆盖。之后,在晶种层的第一部分上,在图案化光致抗蚀剂层和图案化抗反射涂覆层的特征之间形成金属层。接下来,去除图案化光致抗蚀剂层和图案化抗反射涂覆层。之后,去除晶种层的第二部分,从而在电介质层之上提供一系列金属线。 | ||
搜索关键词: | 用于 c4 之间 制造 间隔 布线 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造精细的线和间隔布线的方法,包括:在具有电介质层的衬底上形成晶种层;在所述晶种层之上形成抗反射涂覆层和光致抗蚀剂层;使所述光致抗蚀剂层和所述抗反射涂覆层图案化,以形成图案化光致抗蚀剂层和图案化抗反射涂覆层,从而露出所述晶种层的第一部分,并使所述晶种层的第二部分仍然受到覆盖;在所述晶种层的所述第一部分上,在所述图案化光致抗蚀剂层和所述图案化抗反射涂覆层的特征之间形成金属层;去除所述图案化光致抗蚀剂层和所述图案化抗反射涂覆层;以及去除所述晶种层的所述第二部分,从而在所述电介质层之上提供一系列金属线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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