[发明专利]一种制备薄膜的方法无效
申请号: | 200980111109.X | 申请日: | 2009-03-11 |
公开(公告)号: | CN101981678A | 公开(公告)日: | 2011-02-23 |
发明(设计)人: | 村上真;胡震东;刘冰;车勇;刘振林;上原讓 | 申请(专利权)人: | IMRA美国公司 |
主分类号: | H01L21/44 | 分类号: | H01L21/44 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 王维绮 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明披露了一种脉冲激光沉积(PLD)的方法,所述方法能够从纳米颗粒聚集体到无颗粒和液滴的光滑薄膜连续地调整已形成的薄膜形态。利用本发明的不同实施例可被合成的材料包括但不限于,金属,合金,金属氧化物,和半导体。在不同的实施例中,提供了“猝发”方式的超短脉冲激光烧蚀和沉积。所述薄膜形态的调整通过控制猝发方式参数实现,所述猝发方式参数例如脉冲的数量和每次猝发中脉冲之间的时间间隔,猝发重复频率,和激光能流。所述系统包括超短脉冲激光器;光学系统,用于将聚焦激光束(激光脉冲)传送到靶表面上,具有适当的能量密度;和真空腔,所述真空腔内安装有靶和基片并且背景气体及它们的压强被适当调整。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜材料的脉冲激光沉积的方法,包括:a)利用激光脉冲的猝发进行激光烧蚀,其中每次所述猝发包括激光脉冲的脉冲串,所述激光脉冲的脉冲串具有至少两个脉冲,所述至少两个脉冲具有选定的脉冲间隔以在真空腔中产生随后的激光脉冲与通过由在先脉冲烧蚀靶材料而产生的等离子体之间的相互作用;和b)通过在所述真空腔中将基片放置在由所述“猝发方式”激光烧蚀产生的等离子流中将已烧蚀的材料沉积在基片上以形成薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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