[发明专利]半导体发光器件和用于制造半导体发光器件的方法无效
| 申请号： | 200980111411.5 | 申请日： | 2009-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101981712A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 北林弘之;松原秀树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光器件(100)，其包括：半导体层(2)，其包括有源层；支撑基底(11)，其用于支撑半导体层(2)；以及附着层(15)，其用于将半导体层(2)的主表面结合到支撑基底(11)的主表面上。在附着层和与附着层(15)相对的半导体层(2)的主表面以及与附着层(15)相对的支撑基底(11)的主表面中的至少一者之间的结合界面区域中，形成二维衍射光栅，该二维衍射光栅包含具有不同折射率并且被周期性布置的至少两种类型的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：半导体层，所述半导体层包括有源层；支撑基底，所述支撑基底用于支撑所述半导体层；以及附着层，所述附着层用于将所述半导体层的主表面结合到所述支撑基底的主表面上，其中，在所述半导体层的与所述附着层相对向的主表面以及所述支撑基底的与所述附着层相对向的主表面中的至少一者和所述附着层之间的结合界面区域中，形成有二维衍射光栅，所述二维衍射光栅包含具有不同折射率并且被周期性布置的至少两种类型的材料。
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