[发明专利]用于对选定材料进行图案蚀刻的方法无效
| 申请号： | 200980111559.9 | 申请日： | 2009-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101990705A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | S·R·韦纳姆;A·J·列侬;A·W·Y·何-巴耶 | 申请（专利权）人： | 新南部创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 郑建晖;杨勇 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 表面处理——待处理的面积限于一预定图案——可如下实现：(a)在表面的待处理的区域上提供一层第一反应物，该区域至少覆盖所述预定图案的面积；(b)提供用于处理所述表面的一种或多种其他反应物；以及(c)根据预定图案将所述其他反应物中的至少一种施加到待处理的区域上；使得第一反应物与其他反应物中的一种或多种相作用，以仅在预定图案的面积内处理所述表面。该方法特别适用于其中使用具有两种或更多种组分的蚀刻剂的蚀刻过程中。在该情况下，至少第一蚀刻剂组分被施加在表面上，至少另一种蚀刻剂组分被施加在预定图案中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 选定 材料 进行 图案 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种对表面进行处理的方法，其中所述处理限于该表面的由一预定图案所限定的面积，所述方法包括：(a)提供用于处理所述表面的至少第一组分作为一个层，该层延伸在该表面的待处理的区域上，所述区域至少覆盖所述预定图案的面积；(b)提供至少一种沉积组合物，其包含用于处理所述表面的一种或多种其他组分；以及(c)根据预定图案将所述至少一种沉积组合物施加到待处理的区域上；由此用于处理所述表面的所述第一组分与用于处理所述表面的所述一种或多种其他组分相作用，以仅在所述预定图案的面积内处理所述表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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