[发明专利]使用双重图案化的光致抗蚀剂图像成形方法无效
| 申请号： | 200980111624.8 | 申请日： | 2009-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101981501A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | R·R·达梅尔;D·J·阿布达拉;E·阿勒梅;M·帕德马纳本 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料美国公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 夏正东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在器件上形成光致抗蚀剂图案的方法，包括：a)在基底上从第一光致抗蚀剂组合物形成第一光致抗蚀剂层；b)成像式曝露该第一光致抗蚀剂；c)将第一光致抗蚀剂显影以形成第一光致抗蚀剂图案；d)用包括至少2个氨基(NH2)基团的硬化化合物处理第一光致抗蚀剂图案，因此形成硬化的第一光致抗蚀剂图案；e)在包括该硬化的第一光致抗蚀剂图案的基底区域上从第二光致抗蚀剂组合物形成第二光致抗蚀剂层；f)成像式曝露该第二光致抗蚀剂；和g)将成像式曝露的第二光致抗蚀剂显影以在第一光致抗蚀剂图案之间形成第二光致抗蚀剂图案，因此提供双重光致抗蚀剂图案。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 双重 图案 光致抗蚀剂 图像 成形 方法 | ||
【主权项】：
在器件上形成光致抗蚀剂图案的方法，包括：a)在基底上从第一光致抗蚀剂组合物形成第一光致抗蚀剂层；b)成像式曝露该第一光致抗蚀剂；c)将第一光致抗蚀剂显影以形成第一光致抗蚀剂图案；d)用包括至少2个氨基(NH2)基团的硬化化合物处理第一光致抗蚀剂图案，因此形成硬化的第一光致抗蚀剂图案；e)在包括该硬化的第一光致抗蚀剂图案的基底区域上从第二光致抗蚀剂组合物形成第二光致抗蚀剂层；f)成像式曝露该第二光致抗蚀剂；和g)将成像式曝露的第二光致抗蚀剂显影以在第一光致抗蚀剂图案之间形成第二光致抗蚀剂图案，因此提供双重光致抗蚀剂图案。
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