[发明专利]蚀刻硅晶片边缘的方法无效
| 申请号： | 200980111773.4 | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101981664A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | H·F·埃瑞克;P·D·阿尔布雷克特;E·R·霍兰德;T·E·多恩;J·A·施密特;R·R·旺达姆;G·张 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/00;H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 马江立;秘凤华 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明主要涉及硅晶片的制造，更特别地涉及用于蚀刻硅晶片边缘的边缘蚀刻装置和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 晶片 边缘 方法 | ||
【主权项】：
一种从硅晶片表面去除硅的方法，所述晶片包括中心轴线、与所述中心轴线总体垂直的前表面和后表面、外周边缘、从所述中心轴线延伸到沿所述晶片的外周边缘的一点的半径R、沿着所述晶片的外周边缘离所述中心轴线最近的点、以及所述晶片的前表面和后表面的边缘部，所述边缘部从所述最近的外周边缘点延伸到在所述最近的外周边缘点与所述中心轴线之间的、距离所述最近的外周边缘点不超过大约15mm的点，该方法包括：使蚀刻剂接触(i)所述晶片的外周边缘，(ii)所述晶片的前表面的边缘部，和(iii)所述晶片的后表面的边缘部，其中在将所述晶片的前表面的平面度减小大约50％以上之前，使所述外周边缘以及所述前表面和后表面的边缘部与蚀刻剂接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
