[发明专利]可编程存储器修复方案无效

专利信息
申请号: 200980112239.5 申请日: 2009-04-09
公开(公告)号: CN102113058A 公开(公告)日: 2011-06-29
发明(设计)人: A·E·翁格;F·何 申请(专利权)人: 拉姆伯斯公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开提供了一种半导体器件以及用于测试和操作该半导体器件的方法、系统、和装置。该半导体存储器器件包括数据存储元件和修复电路。数据存储元件包括主数据存储元件以及一个或多个冗余数据存储元件,主数据存储元件有相应的地址以用于存储器访问操作。所述修复电路是与所述存储器器件分离的另一半导体器件可编程的,用以识别主数据存储元件的故障地址,并且被编程的修复电路配置用于将存储器访问从具有已识别故障地址的主数据存储元件重新路由到相应的冗余数据存储元件。
搜索关键词: 可编程 存储器 修复 方案
【主权项】:
一种半导体存储器器件,包括:多个数据存储元件,包括主数据存储元件以及一个或多个冗余数据存储元件,所述主数据存储元件具有相应的地址以用于存储器访问操作;以及修复电路,其是与所述存储器器件分离的另一半导体器件可编程的,用以识别所述主数据存储元件的故障地址,其中所述修复电路配置用于将存储器访问从具有已识别故障地址的主数据存储元件重新路由到相应的冗余数据存储元件。
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