[发明专利]衬底清洁和无电沉积的方法和溶液无效
| 申请号： | 200980112389.6 | 申请日： | 2009-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101981667A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 阿尔图尔·科利奇;李南海 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明关于器件制造。一个实施方式是用于集成电路的衬底清洁和无电沉积帽层的方法。该方法在具有包括金属和电介质大马士革金属化层的表面的衬底上进行。该方法包括将衬底的表面暴露于足以清洁该衬底表面的清洁溶液和将该衬底表面暴露于足以沉积帽层的无电沉积溶液。本发明的其他实施方式包括清洁衬底的溶液和完成无电沉积的溶液。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 清洁 沉积 方法 溶液 | ||
【主权项】：
一种在具有铜和电介质大马士革金属化的衬底沉积帽层的方法，该方法包括：(i)将该衬底表面暴露于足以清洁该衬底表面的清洁溶液；以及(ii)将该衬底表面暴露于足以沉积该帽层的无电沉积溶液；其中至少(i)的最后部分利用清洁溶液组合物完成，其只包含存在时基本上不会妨碍该无电沉积溶液性能的成分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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