[发明专利]高宽高比的开口有效
| 申请号： | 200980112416.X | 申请日： | 2009-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101990710A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 马克·W·基尔鲍赫 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242;H01L27/04;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种电容器形成方法，其包括在衬底上形成导电支撑材料，其中所述支撑材料含有至少25原子％的碳。所述方法包括形成至少穿过所述支撑材料的开口，其中所述开口在所述支撑材料的厚度内具有至少20∶1的宽高比。在形成所述开口之后，所述方法包括：处理所述支撑材料以实现导电率的减小；以及在所述开口中形成电容器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 高宽高 开口 | ||
【主权项】：
一种电容器形成方法，其包含：在衬底上形成导电支撑材料，所述支撑材料含有至少25原子％的碳；形成至少穿过所述支撑材料的开口，所述开口在所述支撑材料的厚度内具有至少20∶1的宽高比；在形成所述开口之后，处理所述支撑材料以实现导电率的减小；以及在所述开口中形成电容器结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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