[发明专利]III族氮化物半导体元件及外延晶片有效

申请号：	200980112445.6	申请日：	2009-04-03
公开（公告）号：	CN101990698A	公开（公告）日：	2011-03-23
发明（设计）人：	善积祐介;盐谷阳平;上野昌纪;中西文毅	申请（专利权）人：	住友电气工业株式会社
主分类号：	H01L21/205	分类号：	H01L21/205;C30B29/38;H01L33/00;H01S5/343
代理公司：	中原信达知识产权代理有限责任公司 11219	代理人：	王海川;穆德骏
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	发光二极管(21a)的支撑基体(23)的主面(23a)相对于c面以大于10度且小于80度的倾斜角倾斜。半导体积层(25a)包含具有400nm以上且550nm以下的波长范围内的发光峰值的有源层(27)。GaN支撑基体的(0001)面(图5中所示的参照面(SR3))与缓冲层(33a)的(0001)面的倾斜角A为0.05度以上且2度以下。另外，GaN支撑基体的(0001)面(图5中所示的参照面(SR4))与阱层(37a)的(0001)面的倾斜角B为0.05度以上且2度以下。倾斜角A及倾斜角B相对于GaN支撑基体的c面彼此朝相反方向倾斜。
搜索关键词：	iii 氮化物半导体元件外延晶片
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【主权项】：

一种III族氮化物半导体元件，其特征在于，具备：支撑基体，其具有主面，该主面相对于六方晶系化合物的c面以大于10度且小于80度的倾斜角倾斜，且包含该六方晶系化合物；及半导体区域，其包含半导体层，该半导体层设置在所述支撑基体的所述主面上，且包含与所述六方晶系化合物不同的六方晶系氮化镓基半导体，所述支撑基体的所述六方晶系化合物的(0001)面与所述半导体层的所述六方晶系氮化镓基半导体的(0001)面的倾斜角为+0.05度以上且+2度以下、‑0.05度以下且‑2度以上，所述半导体层的所述六方晶系氮化镓基半导体为AlGaN及InGaN中的任意一种。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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