[发明专利]用于降低了SAR的高场强MR的双层多元件RF带状线圈阵列有效
| 申请号： | 200980112632.4 | 申请日： | 2009-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101990642A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | C·洛斯勒 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/34 | 分类号： | G01R33/34;G01R33/3415 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;刘炳胜 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 当执行高场强或超高场强磁共振成像时，一种改善接收SNR并降低发送SAR的双层发送-接收线圈阵列(10)。靠近射频屏蔽(12)放置发送元件(14)以降低SAR，以及较远离所述屏蔽放置接收元件(16)以改善SNR。使用二极管(20)、变压器(70、72)，或其他去耦技术能够对所述发送和接收元件去互耦。在一个实施例中，所述发送元件(14)的一部分经过所述RF屏蔽(12)的前面以进一步降低SAR，而所述发送元件(14)中的电容器(18)定位于所述屏蔽(12)的后面。附加的屏蔽(80)能够用于减轻电缆波。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 sar 场强 mr 双层 多元 rf 带状 线圈 阵列 | ||
【主权项】：
一种用于高场强磁共振成像(MRI)系统的双层发送和接收(T/R)线圈阵列(10)，包括：射频(RF)屏蔽(12)；发送线圈带(14)，其以与所述屏蔽的第一距离邻近所述屏蔽定位；以及接收线圈带(16)，其以与所述屏蔽的第二距离在所述发送线圈带(14)后面定位，所述接收线圈带接收MR数据，所述第二距离大于所述第一距离。
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