[发明专利]对紧密间隔晶体管中接触等级的介电材料加以图案化的具有缩减厚度的蚀刻终止层有效

申请号：	200980113333.2	申请日：	2009-02-27
公开（公告）号：	CN102007589A	公开（公告）日：	2011-04-06
发明（设计）人：	K·维乔雷克;M·奥尔斯特曼;P·许布勒;K·鲁特洛夫	申请（专利权）人：	格罗方德半导体公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768;H01L21/8238
代理公司：	北京戈程知识产权代理有限公司 11314	代理人：	程伟;靳强
地址：	英国开***	国省代码：	英国;GB
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摘要：	于双应力衬里方法中，中间蚀刻终止材料(234)可以基于等离子体辅助氧化工艺(250)而非通过沉积方式来设置，因此可以减少蚀刻终止材料(234)之对应厚度(234T)。如此一来，所造成的纵横比相较于习知策略较不明显，藉此减少与沉积相关之不规则，其中，该不规则可能转化成为明显的产率损失降低，尤其对于高度微缩之半导体器件(200)而言更为明显。
搜索关键词：	紧密间隔晶体管接触等级材料加以图案具有缩减厚度蚀刻终止
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【主权项】：

一种方法，包括下列步骤：在半导体器件(200)的第一和第二晶体管(220A、220B)上方形成第一介电层(230)；通过将该第一介电层(230)暴露于氧化等离子体环境(250)以便氧化该第一介电层(230)的表面(230S)，而至少在该第一晶体管(220A)上方的该第一介电层(230)上形成蚀刻终止层(234)；去除位于该第二晶体管(220B)上方的该第一介电层(230)的部分；在该第二晶体管(220B)上方和该蚀刻终止层(234)上形成第二介电层(240)；以及通过使用该蚀刻终止层(234)作为蚀刻终止而自该第一晶体管(220A)上方选择性地去除该第二介电层(240)。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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