[发明专利]一种新型的无带隙半导体材料无效
| 申请号： | 200980113359.7 | 申请日： | 2009-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102047428A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王晓临 | 申请（专利权）人： | 卧龙岗大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L49/00;H01S3/14;H01L33/00;H01S3/102;H01S5/04 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 杨勇;郑建晖 |
| 地址： | 澳大利亚新*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 本公开文本提供了一种新型的无带隙半导体材料，该材料具有能够用电子能带结构来表征的电子特性，该电子能带结构包括针对第一电子自旋极化的价带部分VB1和导带部分CB1，以及针对第二电子自旋极化的价带部分VB2和导带部分CB2。价带部分VB1具有第一能级，并且CB1和CB2中的一个具有第二能级，该第一能级和该第二能级的位置使得在VB1与CB1和CB2中的所述一个之间进行无带隙电子跃迁是可能的，并且其中，该无带隙半导体材料被安排成使得在VB2与CB1和CB2中的另一个之间限定了带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 无带隙 半导体材料 | ||
【主权项】：
一种无带隙半导体材料，其具有能够用电子能带结构来表征的电子特性，该电子能带结构包括针对第一电子自旋极化的价带部分VB1和导带部分CB1，以及针对第二电子自旋极化的价带部分VB2和导带部分CB2；其中，VB1具有第一能级，并且CB1和CB2中的一个具有第二能级，该第一能级和该第二能级的位置使得在VB1与CB1和CB2中的所述一个之间进行无带隙电子跃迁是可能的，并且其中，该无带隙半导体材料被安排成使得在VB2与CB1和CB2中的另一个之间限定了带隙。
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