[发明专利]单晶的成长方法及单晶的提拉装置有效
| 申请号： | 200980113403.4 | 申请日： | 2009-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102007234A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 菅原孝世;星亮二;高沢雅纪;宫原祐一;岩崎淳 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00;C30B15/10 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郭晓东;马少东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明关于一种单晶硅的成长方法及提拉装置，该单晶硅的成长方法根据切克劳斯基法，将单晶从已在石英坩埚内熔融的硅原料的熔融液提拉而使其成长，其特征在于：以上述石英坩埚的外壁侧为正极，并以电极侧为负极的方式，施加直流电压，一边使电流从上述电极流过一边根据上述提拉轴来使单晶硅成长；并且，该电极是与用以提拉上述单晶的提拉轴分开设置，且被浸渍于上述硅原料的熔融液中。由此，在单晶硅的成长过程中，通过使适当的结晶化层即失透发生在石英坩埚的内壁表面，同时防止锂等的碱金属混入单晶硅中，能提高单晶产率与生产性，并且在切片成芯片后的热氧化处理中，能抑制氧化膜的异常成长。 | ||
| 搜索关键词： | 成长 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种单晶硅的成长方法，根据切克劳斯基法将单晶从已在石英坩埚内熔融的硅原料的熔融液提拉而使其成长，其特征在于，以上述石英坩埚的外壁侧为正极，并以电极侧为负极的方式，施加直流电压，一边使电流从上述电极流过一边根据上述提拉轴来使单晶硅成长；并且，该电极与用以提拉上述单晶的提拉轴分开设置，且被浸渍于上述硅原料的熔融液中。
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